信越推出新型后端制造設(shè)備可直接實現(xiàn)HBM內(nèi)存2.5D集成
發(fā)布日期:2024-07-14

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7 月 11 日消息,日本信越化學(xué) 6 月 12 日宣布開發(fā)出新型半導(dǎo)體后端制造設(shè)備,可直接在封裝基板上構(gòu)建符合 2.5D 先進(jìn)封裝集成需求的電路圖案。

▲ 蝕刻圖案
這意味著可在 HBM 內(nèi)存集成工藝中完全省略昂貴的中介層(Interposer),在大大降低生產(chǎn)成本的同時也縮短了先進(jìn)封裝流程。

▲ 2.5D 集成結(jié)構(gòu)對比
信越表示,該新型后端設(shè)備采用準(zhǔn)分子激光器蝕刻布線,無需光刻工藝就能批量形成大面積的復(fù)雜電路圖案,達(dá)到了傳統(tǒng)制造路線無法企及的精細(xì)度。
結(jié)合信越化學(xué)開發(fā)的光掩模坯和特殊鏡頭,新型激光后端制造設(shè)備可一次性加工 100mm 見方或更大的區(qū)域。
根據(jù)《日經(jīng)新聞》報道,信越化學(xué)目標(biāo) 2028 年量產(chǎn)這款設(shè)備,力爭實現(xiàn) 200~300 億日元(IT之家備注:當(dāng)前約 9.02 ~ 13.53 億元人民幣)相關(guān)年銷售額。
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