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中國作為全球最大的新能源汽車市場，車規(guī)功率半導(dǎo)體需求強(qiáng)勁，電動化與高壓化是兩大重要推動力。功率半導(dǎo)體的具體應(yīng)用場景已經(jīng)從燃油車時代的輔助驅(qū)動系統(tǒng)單一場景不斷向牽引逆變器、OBC、高低壓輔助驅(qū)動系統(tǒng)、DC/DC模塊、充電樁等多個細(xì)分領(lǐng)域拓展。在過去相當(dāng)長的時間里，全球車規(guī)級功率半導(dǎo)體市場主要被英飛凌、安森美、
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功率半導(dǎo)體器件，特別是絕緣柵雙極晶體管(InsulatedGateBipolarTransistor,IGBT)，它一直是新能源、軌道交通、電動汽車、工業(yè)應(yīng)用、家用電器等應(yīng)用的核心硅基IGBT由于驅(qū)動功率低，飽和壓降低，設(shè)備具有高電壓等級(高達(dá)6500)V)高達(dá)3600A)成為各個領(lǐng)域的中流砥柱（1）、高功率密度和高開關(guān)頻率是實現(xiàn)電力電子設(shè)備小型化和未來
