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STS系列

STS系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

在半導(dǎo)體測(cè)試領(lǐng)域,綠測(cè)科技始終致力于為半導(dǎo)體器件的研發(fā)與生產(chǎn)提供專業(yè)測(cè)試解決方案。STS系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)正是針對(duì)MOSFET、IGBT等半導(dǎo)體器件特性打造的專用測(cè)試平臺(tái),為半導(dǎo)體器件提供從參數(shù)驗(yàn)證到可靠性評(píng)估的全流程測(cè)試支持。

核心能力:

STS系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)能夠在寬范的工作條件下測(cè)試所有相關(guān)器件參數(shù),包括擊穿電壓、導(dǎo)通電阻以及三端子FET電容、柵極電荷和功耗等IV參數(shù)。

STS系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)

專業(yè)測(cè)試系統(tǒng)賦能半導(dǎo)體器件創(chuàng)新

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寬范圍

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微測(cè)量

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自動(dòng)切換

系統(tǒng)組成

電源模塊

SMU模塊

輸出范圍±210V/±10.5A(脈沖),最小分辨率100nV/10fA。(可定制)

信號(hào)發(fā)生模塊

LCR模塊

頻率可達(dá)1kHz-1MHz,電容測(cè)量范圍100fF-1μF。(可定制)

功放模塊

測(cè)試治具

配備插座適配器,避免插入式器件連接錯(cuò)誤。(可定制)

產(chǎn)品圖示

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STS系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)量系統(tǒng)技術(shù)參數(shù)(可定制)

型號(hào)STS6001
集電極/漏極通道最大輸出電壓DC±210V
電流DC±3.03A
脈沖±10.5A

最小分辨率

源極100nV*1/10fA*1
測(cè)量100nV*1/10fA*1
柵極通道最大輸出電壓DC±210V
電流DC±3.03A
脈沖±10.5A
最小分辨率源極100nV*1/10fA*1
測(cè)量100nV*1/10fA*1
電容測(cè)量最大偏置電壓集電極/漏極/柵極±210V
頻率范圍 1kHz-1MHz
電容范圍 100fF-1μF
    
工作范圍IV功能集電極/漏極電壓DC±210V
集電極/漏極電流DC±3.03A
脈沖±10.5A
柵極DC±210V/±3.03A
脈沖±210V/±10.5A
CV功能

集電極/漏極/柵極

直流偏置電壓

±210V
頻率1kHz-1MHz
電容100fF-100nF
柵極電荷功能Qg、Qgd、Qd1nC-100μC
VDD210V
ID10.5A
柵極驅(qū)動(dòng)±30V

*1. 需選配SMU模塊

系統(tǒng)特點(diǎn)

STS系列半導(dǎo)體靜態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng)圍繞“功能模塊+測(cè)試能力”雙維度設(shè)計(jì),既確保操作直觀高效,又實(shí)現(xiàn)全面的測(cè)試覆蓋。系統(tǒng)搭配IVCVQG測(cè)試治具和SemiWorks上位機(jī)測(cè)試軟件,可實(shí)現(xiàn)多維度測(cè)試能力,滿足半導(dǎo)體器件從研發(fā)到量產(chǎn)的全生命周期測(cè)試需求。

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寬范圍

具備寬泛的電壓和電流(選配,3kV和1500A)

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微測(cè)量

低于毫微安的電流測(cè)量

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自動(dòng)切換

IVCVQG測(cè)試治具集成全自動(dòng)測(cè)試切換電路,可完成高壓和大電流測(cè)試以及IV、CV測(cè)量切換

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一站式解決方案

從參數(shù)驗(yàn)證到可靠性評(píng)估,實(shí)現(xiàn)全流程測(cè)試支持

應(yīng)用場(chǎng)景

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新能源汽車

  • 半導(dǎo)體器件的擊穿電壓、導(dǎo)通壓降等參數(shù)測(cè)試,確保電驅(qū)系統(tǒng)高效可靠
  • 車載充電機(jī)(OBC)中半導(dǎo)體器件的來(lái)料篩選與失效分析,保障快充安全性
  • 二極管正向壓降和漏電流驗(yàn)證,優(yōu)化電池保護(hù)電路性能
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光伏/儲(chǔ)能

  • 測(cè)試SiC/GaN器件的高頻特性(如結(jié)電容Ciss、Crss),優(yōu)化逆變器轉(zhuǎn)換效率
  • 功率模塊的閾值電壓漂移測(cè)試(VGE(th)),預(yù)防失效風(fēng)險(xiǎn)
  • 通過(guò)靜態(tài)參數(shù)評(píng)估儲(chǔ)能變流器中IGBT的長(zhǎng)期可靠性

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